技術と製品

SiC技術

三井造船で培った独自のCVD-SiCで製作されたアドマップのSiC製品は、
超高純度・高耐食性・高耐酸化性・高耐熱性・高耐摩耗性の特性を備えており、
あらゆるフィールドで使用されております。

アドマップのSiC製品


○コーティング技術

等方性高純度黒鉛および各種焼結SiC基材に、高純度で均質性に優れたコーティングを提供いたします。
半導体をはじめ、産業機械、原子力、航空宇宙分野での高い評価を得ております。


○膜単体製造技術

コーティング技術を応用し、緻密なSiC膜のみで構成された製品を提供いたします。平板をはじめ、複雑形状まで幅広く適応可能です。半導体製造装置を中心に、超高温やプラズマの厳しい環境下での数多くの実績があります。

膜単体製品の製造工程 例)ウェハ

01黒鉛基材を円板状に加工
黒鉛基材を円板状に加工
02全面にCVD-SiCコーティング全面にCVD-SiCコーティング 03外周加工により基材を露出外周加工により基材を露出
06研磨・面取り・洗浄・検査研削/研磨・面取り・
洗浄・検査
052枚の膜単体円板となる2枚の膜単体円板となる 04高温酸化雰囲気中で基材除去高温酸化雰囲気中で基材除去

○SiC各種物性値下記の測定値はそれぞれ保証値ではございません。参考値としてご利用下さい。

○代表特性値

主要目 (111)配向牲材料 等方性材料
密度 g/cm3 3.21 3.21
曲げ強度(室温) MPa 382 539
引張り強度(室温) MPa 294 -
ヤング率(室温) GPa 478 447
硬さ   HK:3500 -
熱膨張係数(室温〜1000℃) 1/K 4.5×10-6 4.5×10-6
熱伝導率 (板厚方向) W/m・K - 264
熱伝導率 (面内方向) W/m・K 280 236
比熱 J/g・K 0.65 0.67
比抵抗 Ω・cm 104 ≦102

○不純物濃度 放射化分析(単位:ppb)

Na Co K Cu Zn Mn Fe Cr
<2 1.3 <60 <50 9 <9 35 26

○不純物拡散係数(cm2 / sec, at : 1300℃)

元素 CVD-SiC Si
Fe 6.5×10-14 1×10-5
Co 1.3×10-13 3×10-5
Cr 6.3×10-14 5×10-6
Au 8.6×10-14 3×10-5

○耐食性

雰囲気 温度浸漬時間(h)重量変化
6N HCl 沸点(110℃) 1470 認められず
9N HNO3 沸点(116℃) 1470 認められず
19N H2SO4 沸点(128℃) 1470 認められず
弗酸(49%HF) 室温 168 認められず
弗硝酸(17%HF+83%HNO3) 室温 532 認められず
リン酸(85%H3PO4) 160℃ 168 認められず
王水 80℃ 186 認められず
大気中 1500℃ 146 認められず
HCLガス 1200℃ 25 認められず

ソリューション

独自のCVD-SiC技術を中心に、分析力・解析力・設計力を掛け合わせ、構想の初期段階から参画し、
ベストソリューションを提供いたします。

Our Solution

○提案例

・超高温アニール装置用大型部材開発(ボート、ホルダ、ノズル)
・狭ピッチ膜単カセットボート開発
・超高純度SiCパウダー原料
・次世代ウェハ対応部材

提案例 提案例
提案例  

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